投資1600億的國家存儲器基地三維閃存取得新突破

1月2日，正在建設(shè)中的國家存儲器基地雛形初現(xiàn)。位于武漢光谷的該基地繼成功研發(fā)中國首顆32層三維閃存芯片后，另一項技術(shù)取得新突破，為三維閃存帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。國家存儲器基地以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，全部建成后將填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白，為實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟跨越發(fā)展提供重要支撐。