據(jù)業(yè)內(nèi)消息,本周西安高校半導體研究團隊宣布在半導體材料研究上取得突破! 該研究成功在 8 英寸硅片中制備出高質(zhì)量的氧化鎵外延片,標志著在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。 據(jù)悉,該研究成果出自西安郵電大 ... 查看全文
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