1月2日，正在建設(shè)中的國家存儲器基地雛形初現(xiàn)。位于武漢光谷的該基地繼成功研發(fā)中國首顆32層三維閃存芯片后，另一項技術(shù)取得新突破，為三維閃存帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期 ... 查看全文
中國互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報中心 12377
陜西互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報電話 029-63907150
免責聲明：本網(wǎng)站不承擔任何內(nèi)容提供者的信息所引起的爭議和法律責任，聯(lián)系侵刪
