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標(biāo)題: 投資1600億的國(guó)家存儲(chǔ)器基地三維閃存取得新突破 [打印本頁(yè)]

作者: 大風(fēng)大 時(shí)間: 2019-1-7 11:30
標(biāo)題: 投資1600億的國(guó)家存儲(chǔ)器基地三維閃存取得新突破

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1月2日，正在建設(shè)中的國(guó)家存儲(chǔ)器基地雛形初現(xiàn)。位于武漢光谷的該基地繼成功研發(fā)中國(guó)首顆32層三維閃存芯片后，另一項(xiàng)技術(shù)取得新突破，為三維閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能、更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。國(guó)家存儲(chǔ)器基地以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體，全部建成后將填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白，為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐。

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